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数量:10061 |
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| 规格书 |
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| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Dual |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 300 mA |
| 系列 | 2N7002 |
| RDS（ON） | 3 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-363 |
| 栅极电荷Qg | 0.4 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 5.5 ns |
| 零件号别名 | 2N7002DWH6327XTSA1 SP000917596 |
| 上升时间 | 3.3 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 3.1 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V, 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V, 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V, 1.5 V |
| 宽度 | 1.25 mm |
| Qg - Gate Charge | 600 pC, 600 pC |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 2 Channel |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 200 mS, 200 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 300 mA, 300 mA |
| 长度 | 2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms, 1.6 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 0.9 mm |
| 典型导通延迟时间 | 3 ns, 3 ns |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| 技术 | Si |
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